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高温热处理后荧光粉的发光性能

 

用荧光分光光度计测量高温热处理后荧光粉的激发谱图和发射谱图,如下图所示:

激发谱图和发射谱图

高温热处理后荧光粉的发光性能

从图中可以看出:

  • 激发图谱为双峰结构,在近紫外340nm处有一弱激发峰,在可见光区470nm处为最大激发峰,其中340nm的激发峰对应2F5/2→5d的跃迁,470nm的激发峰则对应2F5/2→5d的跃迁: 发射光谱为一宽带,峰值在534nm,谱带覆盖从蓝绿到红的波长范围,对应Ce'的5d→4f跃迁。
  • 热处理温度的升高,有利于Ce3+离子进入YAG的晶格取代Y3+的位置,同时结晶更完整,因此荧光粉的发射光谱强度随着热处理温度的升高而增强。
  • 热处理后得到的粉体团聚趋势比较明显,如果继续升高热处理温度,将得到团聚严重的粉体,二次颗粒粒径迅速增加,即荧光粉粒度很大,将导致在封装白光LED时,粉体分散性差,用量增加,沉积严重,封装效果不好,因此,热处理的温度应控制在一定范围以下。

结论: 利用荧光光谱仪分析粉体的发光性能,结果显示荧光粉可被450~490nm的蓝光有效激发,发射光谱为峰值在534nm的一宽带,可与高效蓝光LED匹配,制成白光LED。

文章标签:光谱分析高温热处理荧光粉 评论收藏分享

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